7月25日下午，英國(guó)林肯當(dāng)?shù)仫L(fēng)和日麗、陽(yáng)光燦爛，歷經(jīng)一年建設(shè)的功率半導(dǎo)體研發(fā)中心大樓落成并舉行隆重的竣工啟用儀式，中國(guó)南車(chē)總裁鄭昌泓親臨現(xiàn)場(chǎng)，與公司董事長(zhǎng)丁榮軍共同為研發(fā)中心大樓剪彩。

功率半導(dǎo)體研發(fā)中心是公司與丹尼克斯共同出資在2010年5月成立的。兩年來(lái)，在技術(shù)研究、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)與人才培養(yǎng)等方面取得了快速發(fā)展，面向全球吸納高端人才，廣泛開(kāi)展國(guó)際技術(shù)合作，整合相關(guān)技術(shù)資源，已經(jīng)形成了一個(gè)國(guó)際化、專(zhuān)業(yè)化的功率半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，正在開(kāi)展新一代IGBT、新一代HVDC晶閘管和碳化硅技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)工作，力爭(zhēng)以高競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)、產(chǎn)品與服務(wù)滿足軌道交通、智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē)、新能源、工業(yè)變流等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用需要，同時(shí)為株洲正在建設(shè)的國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線提供強(qiáng)有力的技術(shù)支持，以建設(shè)世界級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心為目標(biāo)，不斷加強(qiáng)技術(shù)研發(fā)水平，加快開(kāi)發(fā)先進(jìn)制造工藝，不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破與跨越，快速形成產(chǎn)品和市場(chǎng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，全面支撐功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速、可持續(xù)發(fā)展。